此类间隔物也称为氮化硅间隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，半导体等离子体去胶ON）间隔物。 0.18M时代，这个氮化硅侧壁的应力太高了。如果它很大，饱和电流会降低，泄漏会增加。为了降低应力，需要将沉积温度提高到700℃，这增加了量产的热成本，也增加了泄漏。所以在0.18M时代，选择了ONO的侧墙。
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每次放置一段时间，半导体等离子体去胶都需要注意清洁灰尘，注意防潮，防止灰尘成为静电的“隐形杀手”。 2. 摩擦屏幕时要小心。静电在屏幕上是不可避免的，并且经常清洁屏幕。如果清洁不当，会损坏屏幕，影响画质效果。首先，不要经常摩擦屏幕。建议使用特殊的屏幕摩擦材料或柔软的棉布。另外，不要用化学物质擦拭。化学品的使用会破坏屏幕表面的氧化保护膜，增强屏幕的功效。此外，水也不是很好的清洁剂，因为它会在屏幕上留下水印。
1938年，半导体等离子体去胶苏联的AA Vlasov提出了Vlasov方程，这是一个丢弃了碰撞项的无碰撞方程。朗道碰撞积分和弗拉索夫方程被提出，标志着动力学理论的开端。1942年，瑞典的H.Alvin指出，当理想的导电流体处于磁场中时，会产生沿磁力线传播的横波（即Alvin波）。 1942 年，印度的 S. Chandrasekhar 提出使用暂定粒子模型来研究缓解过程。
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等离子体振荡是等离子体中的电子在惯性和离子的静电力作用下的简单振动。离子，也称为等离子体，被认为是物质的第四种形式，或“超级气体”。简单地说，它是一种电离的“气体”，由完全电中性的离子、电子和非电离的中性粒子组成。等离子体不必完全（完全）由离子组成。等离子体属于非凝聚态，构成等离子体的粒子之间的解离程度比较高，粒子之间的相互作用不强。凝聚态是大量粒子凝聚在一起的状态，液体和固体是很常见的凝聚态。
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