上下电极(BE、Metal C、 Metal D)和阻变层都是在逻辑后段工艺中会使用到的材料；阻变层的HfO2，侧向附着力 电极材料TiN、Ti 和W都是逻辑工艺常用材料，无交叉污染问题。 目前阻变存储器仍多使用等离子清洗机RIE/ICP蚀刻，面临着存储单元蚀刻剖面过于倾斜，金属电极蚀刻后严重的侧向腐蚀等问题。后续的工艺优化(功率脉冲等)或新反应气体的引入应该可以取得更多的进步。
见进一步加大氯气流量，滑移率与侧向附着力的关系会使锗的合金侧向蚀刻加快形成底部内收的形貌，这也表明高活性化学蚀刻气体对锗的蚀刻更加有效同时不会损失过多的光阻，以达到保证侧壁轮廓曲线的效果。 另一类是以含氟气体为主的蚀刻，主要蚀刻剂是CF4，产物为GeF4较易挥发。我们可以得到非常平滑的图形形貌。加人氧气可以调节锗对其合金的选择比，高达到434。
刻蚀底切是由化学品的不定向刻蚀引起的，侧向附着力一旦发生向下刻蚀，则允许侧向刻蚀，底切越小，质量越好。测量这些底切值并将其称为“刻蚀因子”。刻蚀工艺的所有步骤都是连接在一起的，而刻蚀的质量可以是刻蚀溶液或所用抗蚀剂的结果。化学刻蚀使用有很多有害的化学物质，而且不是环保的刻蚀工艺。使用等离子体进行刻蚀：等离子体刻蚀是20世纪80年代流行的一种环境友好刻蚀方法，用来从PCB孔洞中除去胶渣。
实验结果表明：用氧真空等离子体设备滑移导管表面，侧向附着力导管接触角为84-deg；降低到67度；且无损伤基团发生，说明氧真空等离子体设备是一种合理有效的表面处理措施。。
侧向附着力系数
固定刀片,刀片的空气电容器基本上是调整到最大时重叠;如果有照明的现象,还需要确认刀片是否烧坏了,如燃烧可以烧毁后磨的位置使用,此外,叶片之间的距离太近,5.还可能出现打光现象;当电容无法调节时，可以打开匹配器进行手动控制和调节，同时确认叶片电容是否能正常旋转。要注意电机和空气电容的驱动部分是否不能转动。如有卡滞，需及时报告维修。如果齿轮和轴之间有滑移，可以先简单地自行处理。。
plasma等离子处理等离子体刻蚀硅的研究：在微电子工艺中，硅刻蚀工艺应用广泛，如：器件隔离沟槽或者高密度DRAMIC中的垂直电容的制作MEMS等。目前，单晶硅的刻蚀主要有两种方法：一种是湿法，湿法刻蚀方法因其自身的某些局限，例如大量使用有毒化学用品，操作不够安全，侧向渗透以及由于浸胀导致粘附性不良而产生钻蚀使得分辨率下降，已逐渐被干法刻蚀所代替。
在比较大的受热区，由于温升，材料继续热膨胀，而相邻区域的冷材料需要限制膨胀，所以整个受热区因温升而产生很大的压应力，但材料的屈服应力降低，受热区的材料不减少当仅发生压塑性应变而受热区材料变得不稳定时，板材背面的弯曲变形增大，压塑性区进一步增大。因此，此时板材背面材料的压缩塑性应变值远大于正面，结果板材背面的横向收缩率大于的正面。侧向和反向弯曲变形大。
后面的主侧墙(MainSpacer)会在后续的高浓度源漏区注入中，使LDD区得以保留，同时形成自对准的源漏区。为了形成侧墙，首先要在栅极上沉积薄膜。假设薄膜沉积的厚度为a， 栅极高度为b，则栅极边上的侧墙高度为a+b。我们的侧墙蚀刻是回刻，而且是各向异性的蚀刻，可以等效地理解为只有向下蚀刻，没有或很少的侧向蚀刻，所以如果蚀刻量为厚度a，则栅极侧壁将只剩下侧墙残留，这就是我们想要的侧墙了。
滑移率与侧向附着力的关系
等离子体清洗机/等离子体处理器/等离子体处理设备广泛应用于等离子体清洗、等离子体刻蚀、隔离胶、等离子体涂层、等离子体灰化、等离子体处理和等离子体表面处理等领域。等离子清洗机设备在各行业中的应用1，侧向附着力手机盖在手机盖板生产中，手机盖板需要多层涂层。镀膜前，为保证高附着力和良好的镀膜效果，等离子清洗机明显提高了盖板的表面活性和镀膜寿命。
不干胶标签技术正在成为一种日益有效的保护技术。制药行业的目标是更安全地生产纸盒化学品。等离子预处理后，滑移率与侧向附着力的关系标签可以贴在小直径、窄半径，甚至关键区域的开始和结束标签上，牢牢固定，不被完全篡改。等离子清洗机的机电一体化设计非常简单。封闭式预处理作为标签的一部分直接或间接进行。因此，表面处理是工艺的一部分，为产品和客户提供安全保障。长期的研发使提高数码印刷油墨对玻璃UV固化的附着力成为可能。
