MOON 等人 131 使用 CU (DMAMB) 2 作为铜前驱体，甘肃等离子式除胶渣机价位并使用氢等离子体技术在 100-180°C 沉积范围内形成铜薄膜。沉积速率为0.065NM/EYCLE，膜中碳和氧的杂质含量在5%左右。科伊尔等人。 | 41采用等离子增强ALD技术，用新型含氮杂环碳铜前驱体（COPPER（1）NHCS）沉积铜薄膜，在90℃的前驱体温度和沉积温度下具有电阻。 . 225C胶卷。
以上研究均不同程度地实现了铜膜的低温沉积，甘肃等离子式除胶渣机价位但碳、氧等杂质含量较高。一方面，通过等离子体增强，等离子体的引入降低了沉积温度，这反过来又增加了与基板表面结合的铜前体的数量。另一方面，作用于基板表面的等离子体可以增大基板表面。表面上的活性位点也增加了铜前体的吸附。由于这两个因素的共同作用，铜前驱体的数量与氢等离子体反应并增加，从而提高了膜的沉积速率。膜的初始成核过程在铜膜沉积过程的研究中非常重要。
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目的是去除和除湿并检查是否漏气。听漏气声，拉动真空室门，看是否密封。确保压力表达到约-100KPA。 B.将托盘中承载的产品放入反应室。 C。轻轻按下反应室门，按下面板上的绿色启动开关，启动真空泵。 D、压力表的真空值约为-101KPA。如果观察到离子辉光放电现象，则处于加工状态。同时可以设置反应气体的输出大小和注入量。 （反应气体根据工艺要求选择，不用时锁定关闭。
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