等离子设备等离子体蚀刻对HCI的影响等离子设备等离子体蚀刻工艺可靠性中的HCI指的是高能量的电子和空穴注入栅氧化层而引起器件性能退化。
注入时会产生界面态和氧化层陷阱电荷，造成氧化层的损伤，随着损伤程度的加深，器件的电流电压特性发生变化，当器件参数的变化超过一定限度后，器件就会失效。
热载流子效应的抑制主要依靠选择合适的源漏离子注入浓度和衬底注入浓度， 使用轻掺杂漏区（Lightly Doped Drain，LDD)方法能很好地抑制热载流子效应。
等离子设备等离子体相关工艺损伤后的栅极极氧化层，其 HCI 性能明显恶化，这是因为在等离子设备等离子体工艺过程中，栅氧中会流过一定的电流，这个充电电流会造成新的氧化层陷阱和界面态，当热载流子注入其中时更容易造成氧化层损伤。等离子设备等离子体蚀刻对HCI的影响00224789