一种来自空间的非均匀性，亲水性聚合物作用例如密度、温度、磁场的梯度等，这会引起漂移，有可能激发起不稳定性。另一种来自速度空间的不均匀性，如速度、温度、压力的各向异性。另外，如波和波相互作用等，也可能引起微观不稳定性。总之，偏离热平衡态的等离子体具有多余的自由能，必然要把它释放出来以趋向平衡态。自由能的释放就有可能驱动微观不稳定性。 有微观不稳定性的等离子体的特征是出现不断增长的涨落现象。
等离子清洗机外置离心泵，亲水性聚氨酯和sbr运行的清洁腔内的等离子体突然冲刷干净表面，短时间的清洗可使(机内)污染物(成品)全部清洁干净，同时等离子体被离心泵抽走，洁净度达到分子水平。等离子清洗机不仅要有超净效果，还要根据需要改变材料表面的性能。等离子体作用于材料表面，重新结合表面分子的化学键，形成新的表面特征。。
氧气作为气体参与反应发生氧化反应，亲水性聚合物作用材料表面的有机物被氧气电离产生的氧离子氧化生成二氧化碳和水。 非反应性气体电离后主要靠离子的物理轰击作用，去除污染物，有些气体在清洗的同时还可以使材料表面性质发生变化，例如氮气等离子可以改善金属材料的硬度和耐磨性。
采用低温等离子处理器对亚麻布纺织物做好处理，亲水性聚合物作用经热水浸泡后，纺织物印染特性良好，不影响纺织物的力学性能。低温等离子处理器处理能提高羊毛纺织物的均匀性和上色特性。毛染液经空气等离子体处理后，毛染量和废水中卤代污染物均减少。低温等离子处理器可以提高聚酯的染色牢度。采用NH3等离子体处理聚酰胺纤维，再用酸性染料上色，可提高其色牢度和着色率。。
亲水性聚合物作用
随着消费者对塑料制品要求的提高，塑料制品的多样化和快速变化成为未来趋势，对工艺的要求也越来越高。等离子体发展势头强劲，等离子体已广泛应用于塑料、橡胶等行业，具体表现在以下几个方面。一、增加油墨粘度，提高印刷质量等离子技术用于移印、丝网印刷、胶印等常用印刷技术。对于难以印刷的材料表层，如聚丙烯、聚乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、玻璃、金属等，只有采用等离子预处理技术，才能使印刷油墨长期无溶剂，粘结牢固。
待处理物体；金属、半导体、氧化物、高分子材料（聚丙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯、聚酰胺、聚酯、环氧树脂、其他聚合物等）都可以用等离子处理； (6)使用等离子清洗时可能会改变材料本身的表面性能，如提高表面的润湿性和提高薄膜的附着力，同时去污。 3.1 等离子灰化表面有机层如下图所示，化学冲击作用于基材表面。在真空和瞬时高温下，污染物会部分蒸发，撞击会粉碎污染物。用于高能离子和真空抽屉。
当硬掩模的有效高度不够时，硅锗缺陷也会在顶部多晶硅上生长，因此控制FinFET多晶硅中的刻蚀轮廓形貌尤为重要。作为三维晶体管，刻蚀多晶硅必须考虑沟道因素，鳍片本身是体硅材料。等离子体表面处理器蚀刻多晶硅时，虽然有氧化硅保护，但仍需考虑鳍片本身损失。在刻蚀过程中，通常在距鳍片顶部200～300处切换到传统的高选择性HBr/O2步骤，需要较低的偏置功率。
正确地说，过蚀刻过少会导致多晶硅栅极侧壁底部的长腿（FOOTING），过多过蚀刻会恶化顶部的颈缩效应。等离子表面处理机的过刻蚀步骤采用HBR/O2刻蚀工艺，对栅控氧化硅具有高刻蚀选择性，但仍容易造成硅通孔（PITTING）和硅损伤。 TSV的形成通常是由于主刻蚀步骤中的过度刻蚀、与栅控氧化硅的接触、或HBR/O2工艺优化不足导致刻蚀选择性降低。
亲水性聚氨酯和sbr
多晶硅栅极蚀刻在栅极氧化硅处停止，亲水性聚合物作用因此在主蚀刻步骤中使用 CF4 气体蚀刻掺杂硅的上半部分后，蚀刻聚碳酸酯栅极下半部分的剩余 20%。为了在等离子表面处理器中实现多晶硅蚀刻和门控氧化硅的高选择性，必须使用 HBr / O2 气体蚀刻。如前所述，HBr/O2对N型掺杂多晶硅的刻蚀速率比未掺杂多晶硅高20%，容易出现颈缩效应，因此HBr/O2的过刻蚀量需要严格控制。去做吧。
