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如果栅氧化区面积小，栅区面积大，大面积栅收集的离子会流向小面积栅氧化区。注入栅极的隧道电流也需要衬底来保持电荷平衡。随着这种增加，增加的因素是栅极的氧化面积与栅极的比值，损坏效应增加。这是一种称为“天线效应”的现象。对于栅极注入，隧穿电流和离子电流之和等于等离子体中的总电子电流。由于大电流，只要栅氧化层的场强可以产生隧穿电流而不增加天线的实用性，就会发生等离子体损坏。
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