在真空等离子脱胶机的反应室中，感光胶附着力不够受高频和微波能量的影响而电离，产生氧离子、游离氧原子O*、氧分子、电子的混合等离子体。在O2→O*+O*、CXHY+O*→CO2↑+H2O↑的高频电压作用下，与具有强氧化能力（约10～20%）的感光胶片发生反应。接下来，排放反应后产生的CO2和H2O。 2）硅片等离子脱胶/脱胶案例将硅片置于真空反应系统中，通入少量氧气，施加1500V的高压，高频信号发生器产生高频信号。
白天和蓝天的颜色不同，感光胶附着力光线的成分也不同，但白天和蓝天都含有高度感光的蓝光和绿光，唯一的区别是红色和橙色，所以对比很高。很小，自然效果不好。例如，如果在拍照时给相机镜头添加橙黄色滤镜，效果将是橙黄色非常好，因为它是一种类似于蓝天的补色。大部分来自天空的蓝光被滤光片吸收，但来自白云的白光中的黄光可以通过。它增强了光线的对比度，具有自然的效果。
抗蚀剂的涂布-双面 FPC 制造工艺现在,抗蚀剂的涂布方法根据电路图形的精密度和产量分为以下三种方法:丝网漏印法、干膜/感光法、液态抗蚀剂感光法。现在,抗蚀剂的涂布方法根据电路图形的精密度和产量分为以下三种方法：丝网漏印法、干膜/感光法、液态抗蚀剂感光法。抗蚀油墨采用丝网漏印法直接把线路图形漏印在铜箔表面上,这是常用的技术,适用于大批量生产,成本低廉。
晶圆光刻是整个铸造工艺中的重要工序。这种方法的原理是在晶圆表面覆盖一层高感光度的挡光层，感光胶附着力不够然后通过掩模将光线照射到晶圆表面，光线照射到的挡光剂会发生反应，从而实现电路的移动。晶圆蚀刻：用光刻胶曝光晶圆表面的过程。主要分为湿法蚀刻和干法蚀刻两种。简而言之，湿法蚀刻仅限于2微米的图案尺寸，而干法蚀刻则用于更精细、要求更高的电路。晶圆级封装等离子体处理是一种干洗方法，具有一致性好、可控性好的特点。
感光胶附着力不强
因此,基材将要承受高能量离子冲击带来的损害,特别是半导体。实验已证明,在对晶片生产感光性树脂带处理过程中,使用微波等离子没有对腔体及腔门造成氧化损害。下面介绍微波等离子清洗技术的两个常见应用场合微波等离子清洗技术在IC封装中的应用微波等离子清洗在IC封装中通常在下面的几个环节引入:在芯片粘合与引线键合前,以及在芯片封装前。
FPC软板工艺中曝光就是通过干膜的作用使线路图形转移到板子上面，通常采用感光法进行，曝光完成后，FPC软板的线路就基本成型了，干膜能使影像转移，还能在蚀刻过程中保护线路。PI蚀刻是指在一定的温度条件下，蚀刻药液经过喷头均匀喷洒到铜箔的表面，与铜发生氧化还原反应，再经过脱膜处理后形成线路。开孔的目的是为了形成原件导体线路和形成层间的互连线路，开孔工艺常用于双层FPC上下两层的导通连接。
目前，抗蚀剂涂布方法可分为丝网印刷、干膜/感光、液体抗蚀剂感光三种方法，这取决于电路图案的精度和输出。抗蚀油墨采用丝网印刷，将电路图案直接印刷在铜箔表面。这是一种常用的技术，适合大批量生产，成本低。形成的电路图形精度可以达到0.2-0.3毫米线宽/间距，但不适用于更精确的图形。随着它变小，这种方法逐渐变得不那么适用。与下面的干墙法相比，它需要有一定技能的操作人员，而且操作人员需要多年的培训，这是一个劣势。
然后再用强碱，比如NaOH将不需要的铜箔蚀刻掉。将固化的感光膜撕掉，露出需要的PCB布局线路铜箔。4、芯板打孔与检查芯板已经制作成功。然后在芯板上打对位孔，方便接下来和其它原料对齐。芯板一旦和其它层的PCB压制在一起就无法进行修改了，所以检查非常重要。会由机器自动和PCB布局图纸进行比对，查看错误。
感光胶附着力不强
等离子设备主要用于去除晶圆表面的颗粒，感光胶附着力不够彻底去除光刻胶等有机化合物，活化和粗糙化晶圆表面，提高晶圆表面的润湿性。它现在广泛用于晶圆加工。 ..光刻晶圆工艺是贯穿晶圆代工工艺的重要工艺。该方法的原理是在晶片表面覆盖一层具有高感光度的遮光层，然后通过掩模对晶片表面进行光照，遮光剂为辐照。光反应并实现电路的运动。晶圆蚀刻：用光刻胶暴露晶圆表面区域的工艺。主要有两种，湿法刻蚀和干法刻蚀。
