1、3nm蚀刻机（3nm蚀刻机已成功研制 国产芯片行业又一大步!） 它可用于增加引线键合强度。清洗时间不宜过长。如果清洗时间过长，3nm蚀刻机Si 3N4 钝化层中的颗粒会出现针状和纤维状的不良影响[4]。因此，选择 ArH2 的混合物。射频功率范围200～400W，时间180～600秒，流量50～150tor·s-1。如表 1 所示，我们使用 DOE 方法设计了 ...
2、中微半导体 蚀刻机（中微半导体3nm刻蚀机研究成功） 等离子蚀刻机主要利用射频等离子源(也有微波离子源)刺激反应气体产生等气体离子对目标物体进行物理轰击，中微半导体3nm刻蚀机研究成功以达到清除指定物质的手段。由于反应强度要求较大，所以等离子蚀刻机基本上是利用射频等离子体产生的。同样，控制等离子体源的功率和其他相关参数可以降低反应强度，从而可以清洗常见...
3、中微半导体3nm刻蚀机（中微半导体刻蚀机3纳米） 国外开展了纳米级的单层涂层厚度,层数多L00层的多个多层涂层技术研究,涂层具有更高的耐蚀性,韧性和强度,和矩阵结强度,表面粗糙度低,直接罚款高速裁断机加工十人。纳米精细涂层材料的研究与应用有望有新的突破。由于复合涂层技术具有抗磨、抗高温氧化腐蚀、隔热等功能，中微半导体刻蚀机3纳米可以扩大涂层产品的范...
