线和空隙均为20&mu，CCP清洗设备用M的图形来测试蚀刻效果。本文中使用的石墨烯厚度为50nm，生长在二氧化硅上。蚀刻条件:70sccm的氧气和30sccm的氩气混合气体，偏压150W，压力55mt，利用光敏电阻通过两次自旋涂布20M厚的AZ4620图形获得。石墨烯的刻蚀速率约为nm / min，而AZ4620的光刻胶刻蚀速率为330nm / min，这也需要较厚的光刻胶或使用3层掩模结构。
早期采用CCl2F2气体进行刻蚀，CCP清洁机但由于选择比和等离子体对底层膜的损伤，开发了两种气体等离子体组合刻蚀方案:CHF3+BCl3和CF4+BCl3。实际上，这两种方案都实现了更快的刻蚀速率和对InAlAs的高选择比，并且更容易在低压和高射频功率下实现。两种相似材料的不同腐蚀速率是由于反应产物的挥发性不同造成的。GaCl3和AsCl3均较易挥发，而AlCl3较难挥发，会影响进一步蚀刻。
Radu团队根据ICCD在10ns曝光下拍摄的放电图像，CCP清洁机发现在大气压下惰性气体He、Ne、Ar、氪的DBD间隙中可以实现辉光放电。除了辉光放电和丝状放电外，在辉光放电和丝状放电之间还有第三种放电方式，即柱状放电。上世纪末以来，国内电晕实验室、清华大学、大连理工大学、华北电力大学、西安交通大学、华中科技大学、中国科学院物理研究所、河北师范大学等已经开始学习APGD。
在线等离子清洗设备是在独立的基础上，CCP清洗设备以满足表面处理均匀性、一致性较高的质量要求，提高自动化程度，减少人工参与等需求而设计的。根据等离子体产生的激励方式可分为:电容耦合即CCP，电感耦合即IC...
