连续高温混凝后，icp等离子体刻蚀其上出现的污染物可能含有细小颗粒和氧化性物质。此类污染物由于物理和化学反应导致的引线、集成 IC 和贱金属的焊接不良或附着力差，导致引线键合压缩强度不足。引线键合初步的等离子清洗显着提高了表面层的活性，并改善了引线键合的抗压强度和引线键合线的拉伸力之间的平衡。可以降低打线工具头的压力（如果有污染物，必须让打线头穿过污染物，这需要很大的压力），在某些情况下打线的环境温度也可以降低。
等离子表面处理是利用等离子高能粒子与有机(organic)材料表面发生物理化学反应，icp等离子体刻蚀对材料表面进行活化(activating)、蚀刻、去污等工艺，可实现加工。目的是提高摩擦系数、附着力、亲水性等各种表面性能。等离子表面处理和电晕机表面处理的区别： 1.除了辉光放电，等离子表面处理还包括电压放电，可以产生更强的能量，达到52达因或更高的附着力，但电晕机一般只有32-36达因的附着力才能达到。
在IC芯片制造领域，icp等离子体刻蚀系统等离子加工处理工艺已经成为不可替代的成熟工艺，无论注入芯片源离子还是镀膜，等离子清洗功能都能轻松地去除表层的氧化膜、有机物、去掩膜等超净化加工处理及表层活化活化，提高表层浸润性。
在这个过程中，icp等离子体刻蚀电子电离辐射后仍然是自由的，只是动能减少。从微观下看大气压等离子体处理机电离辐射产生辉光放电，从而形成等离子体。。IC封装工艺在线式
