ICP蚀刻辉光放电产生的活性粒子在基板表面扩散，ICP蚀刻机器引起化学反应，是挥发性产物，来不及解吸沉积在基板表面。此外，一些离子与基板发生物理碰撞，破坏了表面网格排列，并在基板表面产生孔洞，降低了材料的表面质量。同时，由于硅和碳化硅的存在，原始衬底表面的结构并不均匀。等离子处理器在处理蚀刻材料表面时，两相边界、孔洞和凹坑的不均匀性导致光在材料表面发生散射，这也增加了材料对光的吸收。
自1970年代以来，ICP蚀刻机器非金属固体（玻璃、纤维、塑料等）低压等离子体的表面处理和改性技术也得到了迅速发展。等离子发生器蚀刻ICP蚀刻工艺广泛应用于硅碳蚀刻领域等离子发生器蚀刻ICP蚀刻工艺广泛应用于硅碳蚀刻领域：化学反应烧成碳碳复合材料作为一种新型非金属材料（RB-SIC） )具有强度高、比刚度大、导热系数高、膨胀系数小等特点。该标准具有高分辨率、宽视场和高质量的表面形貌。
ICP蚀刻工艺主要用于加工制造SIC半导体和微机电系统（MEMS）器件，ICP蚀刻机器表面质量蚀刻，提高SIC微波功率器件的性能质量。 ICP腐蚀过程的完整腐蚀过程可分为三个步骤： (1) 腐蚀性物质的吸附，(2) 挥发性物质的形成，(3) 解吸。这个过程包括化学和物理过程。蚀刻气体以感应耦合方式经历辉光放电以产生反应性基团。例如，中性粒子和电子器件等中性粒子与被蚀刻材料表面的原子发生化学反应，产生挥发性物质。
-封装等离子清洗剂处理可以优化引线键合-封装等离子清洗剂处理可以优化引线键合：在集成IC封装的制造中-封装等离子清洗剂工艺选择是唯一的材料表面、原材料表面取决于后续工艺对性、化学性的要求成分、表面污染等。后半导体工艺是由指纹、助焊剂、焊锡、划痕、污染、微尘、树脂残留物、自热氧化、有机物等引起的。 , 在设备和材料表面形成不同类型的污染。下面是这个过程的应用程序。
