近年来,ccp和icp刻蚀设备区别随着 IC 继续向更小的外形尺寸发展,每个芯片可以封装更多的电路。这不仅增加了单位面积的容量,而且还降低了成本并改进了功能。总之,缩小的外形尺寸几乎改善了所有指标。降低了单价和开关功耗,提高了速度。但是随着尺寸的缩小,设备的LEAKAGE CURRENT也随之缩小,因此用户速度和功耗的提升非常明显。制造商需要使用更好的图形设计和流程优化来应对这一严峻挑战。
这些气体在等离子体中反应形成高活性自由基。 :这些自由基进一步与材料表面发生反应。反应机理主要是利用等离子体中的自由基与材料表面发生化学反应。高压有利于发电。 (2)物理反应(PHYSICAL REACTION)主要是利用等离子体中的离子进行纯物理撞击,ccp和icp刻蚀设备区别利用原子。附着在物料表面或物料表面的颗粒被粉碎。在低压下,离子的平均自由基变得更轻、更长,储存能量并破坏原子。离子能量越高,物理影响越大。
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