自金属硬掩模图案蚀刻在大型等离子清洗机将被用作槽蚀刻掩模层,完整性和关键尺寸的图案蚀刻金属硬掩模层将传播(超)低介电常数材料,并通过槽腐蚀金属线形成。金属硬掩膜层刻蚀后的图形设计为传输图形保真度，金属蚀刻片刻蚀后的关键尺寸偏差会受到负载效应的影响，会被后续刻蚀槽继承甚至由于刻蚀槽的负载效应会继续加大偏差，因此，大型等离子清洗机需要严格控制金属蚀刻硬掩膜层。负载效应越低，金属线形的保真度越高。
因此,在当下,灰化过程控制水蒸气和氧气的重要内容,一个典型的铝金属蚀刻体外,如蚀刻加工副产品,光刻胶的灰化处理是蚀刻在同一台机器上使用在真空环境中,不同的反应绿色竣工,抗灰化过程中腐蚀性化合物被去除，半导体金属蚀刻工艺方法技术然后芯片进入大气环境。。是一种利用气体放电显示技术，其工作原理与荧光灯很相似。
在等离子体设备的伪栅去除过程中，半导体金属蚀刻工艺方法技术一般采用HBr气体来实现工作功能金属蚀刻的高选择性，等离子体设备解离产生的h活化离子会损伤栅介质，影响NBTI。而采用同步脉冲等等离子体设备可以在不影响其他性能的前提下降低HBr的解离率，提高NBTI的性能。与等离子体设备中H2含量较低的N2/H2灰化工艺相比，在伪门去除后的光正极去除工艺中，H2含量较高的N2/H2能将NBTI的失效时间提高一个数量级。。
它专为快速配置更改和产品定位而设计，金属蚀刻减少停机时间，同时提供一致的处理。从2MM的直接喷淋到80MM的旋转喷淋喷嘴，再加上真空等离子...
