2.表面磨削：通常通过磨削金刚石粉末的表面来进行金刚石成核。使用 SiC、c-BN、Al2O3 等信息。研磨还可以促进成核的形成。铣削可以促进成核形成的主要机制有两种。一是粉碎后，icp等离子体喷涂金属金刚石粉末碎屑残留在基体表面，起到晶种的作用。另一个是粉碎会产生很多小东西。基材表面的颗粒。缺点。这是自发成核的一个很好的方向。磨削信息的晶格常数越接近金刚石，促进成核的效果越好。因此，通常的破碎信息是采用高温高压法生产的金刚石粉末。
若用“:”表示分子中的成键电子对，icp等离子刻蚀设备则离解过程可以表示为X:Y→X.+.Y; 这就让带有未成对电子（用X和Y旁边的符号·表示）的X，Y就容易发生化学反应，故被称为化学活性种或者基团（radical）。在等离子清洗机中H，O，CI等游离态的原子和CH3，CF2，SiH3等分子都是基团。为了明确它们不带电荷的性质，我们称之为中性基团，以与电离产生的离子性基团相区别开来。
除了各有优缺点的 IBE 和 ICP 外，icp等离子刻蚀设备中性粒子束蚀刻 (NBE) 也是一个重要的候选技术。 NBE法是用低温（-30℃）O2NBE在过渡金属元素（Ru、Pt等）表面形成金属氧化物层，然后通过化学反应去除氧化物层。 EtOH / Ar / O2NBE。由于没有物理冲击和腐蚀蚀刻副产物的产生，避免了等离子清洗机侧壁二次沉积和等离子损伤的问题，Ru蚀刻形状更接近垂直。
通过化学气相沉积（HDPCVD）制备高密度等离子体源（电感耦合等离子体（ICP）、电子回旋共振等离子体（ECR）、螺旋等离子体（helicon）...
