首先是硅提纯，多晶电池片氧化后无亲水性将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合，剩下硅)，得到纯度约为98%的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%，成为电子级硅。
采用多晶硅等离子体表面治疗仪刻蚀后理想的轮廓形貌将在多晶硅上产生硬掩模残留物。多晶硅的轮廓非常垂直，多晶电池片氧化后无亲水性与硬掩模的键尺寸相同。多晶硅刻蚀会发生横向刻蚀。等离子表面处理器蚀刻过程中，当硬掩模与多晶硅的蚀刻选择性比不同时，多晶硅顶部的关键尺寸会与硬掩模不同。例如，当多晶硅的键尺寸大于硬掩模的键尺寸时，在后续的PMOS硅凹槽(PSR)等离子体表面治疗仪刻蚀中，偏置侧壁会消耗更多。
如果涂层工艺不合理，无亲水性基团有哪些那么表层成分不是Sitio3，可能是其他化学比例，涂层不是理想的化学有机化学成分，这对于真空涂层的技术含量来说也是一件比较困难的事情。晶格均匀性：这决定了薄膜具有单晶、多晶和非晶三种形态，是真空电镀技术研究的热点。真空镀膜可分为蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜两大类，包括真空离子挥发、磁控溅射、mbe分子结构束外延、凝胶溶液凝胶法等。
