1、韩国等离子家用清洗机（韩国等离子清洗机互感器） 由于等离子体表面处理器注入的掺杂集中在多晶硅的上半部分，韩国等离子清洗机互感器用热磷酸去除硬掩模时，多晶硅栅有严重的颈缩现象。由于上述问题，多晶硅栅刻蚀在65nm后转向软掩模刻蚀。传统上，多晶硅栅的刻蚀主要基于卤素气体元素，如Cl2和HBr。预掺杂多晶硅在卤素气体刻蚀中也遇到颈缩现象。韩国李等人。文...
