1、等离子设备等离子体蚀刻对HCI的影响 等离子设备等离子体蚀刻工艺可靠性中的HCI指的是高能量的电子和空穴注入栅氧化层而引起器件性能退化。注入时会产生界面态和氧化层陷阱电荷,造成氧化层的损伤,随着损伤程度的加深,器件的电流电压特性发生变化,当器件参数的变化超过一定限度后,器件就会失效。热载流子效应的抑制主要依靠选择合适的源漏离子注入浓度和...