等离子体清洗技术在许多领域得到了广泛的应用:在IC封装类型中，晶圆清洁方平板封装(QFPS)和薄小形状封装(OP)是当前封装密度趋势所需要的两种封装类型。在过去的几年里，球栅阵列包装(BGAS)一直被认为是标准的包装类型，特别是塑料球栅阵列包装(PBGAS)，每年有数百万种。等离子体清洗技术广泛应用于PBGAS和翻转晶圆工艺以及其他聚合物基衬底，以促进粘接和减少分层。
为了推广摩尔定律，晶圆清洁机器芯片制造商不仅必须能够消除平板晶圆表面的小的随机缺陷，还必须能够在不造成损坏或材料损失的情况下消除更复杂、更精细的3D芯片结构。。加工前的芯片粘接芯片或硅片与封装基板的粘接通常是两种性能不同的材料。材料表面通常疏水、柔韧，其表面粘结性能较差。界面在粘接过程中容易产生缝隙，给密封封装的芯片或硅片带来很大的隐患。
在氯气中加入BCl3和He对氮化钛剖面形状的影响可以看出，晶圆清洁设备虽然添加He可以带来更高的光阻选择比，但氮化钛蚀刻表面明显比添加BCl3.3倾斜。通常，在等离子体清洗机和其他干式蚀刻完成后，引入一个酸性或碱性湿式清洗步骤，以完全去除等离子体蚀刻在晶圆上形成的副产物，避免二次反应。
简单来说,主动清理表多条一起清洗,设备是成熟的优势是,高容量,而单一晶片清洗设备的清洗,清洗的优点是精度高,后面,斜面和边缘可以有用的清洁,一起防止晶圆之间的污染。在45nm之前，晶圆清洁机器主动清洗台可以满足清洗要求，目前仍在使用;45以下的工艺节点需要依靠单片清洗设备来达到清洗精度要求。在未来工艺节点不断减少的情况下，单片晶圆清洗设备是目前清洗设备的主流可以猜到。工艺节点降低揉捏收率，促进清洗设备需求。
晶圆清洁机器
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