另一方面，氢氧化镁表面改性实验在引入CL2之前，在后续的加工过程中往往无法形成正常的sigma硅沟槽，而引入CL2可以解决这个问题。 另一方面，用等离子清洗装置进行干法蚀刻后的湿法清洗在σ型硅沟槽的形成中也起着重要作用。在硅沟槽表面生长的氧化硅会干扰随后用氢氧化四甲铵的处理，使得无法形成σ型硅沟槽。在集成电路制造中，稀氢氟酸用于去除氧化硅，并确保氧化硅或硅表面没有其他污染物。
清洗物料要求:氢氧化钠、硫酸、城市用水和蒸馏水。注意:不要使用手工磨削,砂纸,砂,喷砂和其他机械清洗;与铝、氢氧化钠溶液反应强烈,必须注意确保沉积物被只有在必要的时间,在反应中产生的氢可以爆炸,所以工作区域应通风良好。清洗电极翻新步骤:(1)将开水从空盒上断开，氢氧化镁表面改性实验接通电源，再切断电源，取出接地电极。
蒸发时水分子最多，氢氧化镁表面改性实验其次是水合氢离子(H3O+)，最后是氢氧化物离子（因为氢氧化物的密度比水合氢离子高）。空气中的水合氢离子、氢氧化物粒子和带电粒子要分层，这就是水蒸发形成的等离子体。等离子体相互作用形成闪电1.低空和球形闪电的形成：闪电和电的形成往往伴随着大风，即空气的相对流动速度较大。在水蒸气蒸腾过程中，虽然不同电荷的水蒸气上升速度不同，但不同位置产生的不同类型的水合离子可能具有相同的高度。
以前，氢氧化镁表面改性条件请使用等离子清洗机清洗绝缘板，端板，PET膜等零件。
