例如，氧化硅表面活化湿法处理步骤虽然简单，但结果含有C、O、F等污染物；高温处理能有效去除C、O污染物，但处理温度有待进一步优化，后续工艺兼容性差；等离子体处理能有效去除含O和F的污染物，但处理温度和时间不当会导致表面离子的破坏，造成碳化硅表面重构。根据上述表面处理方法的特点，采用湿法清洗和氧氩等离子体处理晶圆，直接将碳化硅熔点与低温低压热压碳化硅熔点进行比较；粘接，并达到理想的粘接效果。
因此，氧化硅表面活化尽量减少表面摩擦阻力是提高速度和节约能源的主要途径。近年来，在等离子表面处理机上使用超疏水涂层降低超疏水表面阻力的研究引起了研究人员的关注。例如，使用超疏水硅表面的减阻研究发现，减阻可以达到 30% 到 40%。主要采用改性硅橡胶和聚氨酯树脂，在等离子表面处理机的超疏水涂层中加入低表面能无机或有机填料。在低流速下，最大表面减阻可以达到 30%，但由于表面粗糙度的影响，随着流量增加，这种减阻效果较差。
等离子体处理的RHEED图像呈条纹状，氧化硅表面活化表明表面非常平坦。传统湿法处理碳化硅表面的主要杂质是碳和氧。这些杂质在低温下与H原子反应，并以CH和H2O的形式从表面除去。等离子体处理后的表面氧含量明显低于传统的湿法清洗。已知，表面杂质C的存在是半导体MOS器件制造或欧姆接触的主要障碍。如果经过氢等离子体表面处理装置处理后，Cls的高能尾部消失，即cc-H污染...
