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氧蚀刻

等离子体表面处理对活化产品的表面分子在一起不会对其结构造成破坏,氧蚀刻无论是在不同种类的硅胶产品还是橡胶等特殊印刷材料上,通过等离子体表面处理,可以提高产品表面的附着力,减少传统印刷方法的处理技术,减少生产资金,更好地应用无法打印的以上数据,为客户开拓新的市场,创造新的价值。。等离子清洗机通常用于:1。表面等离子体激活/清洗;2。2 .等离子处理后上胶;等离子体蚀刻/激活;4。等离子体脱胶;5。

氧蚀刻

蚀刻气体主要由O2或N2/H2组成。掩模蚀刻的控制要求主要包括:①图形传输精度。避免蚀刻过程中的失真导致通道通孔图不准确。②硬罩侧壁应尽量连贯垂直。随后的10对SiO2/S坚硬的面具作为阻挡层的蚀刻i3N4电影,和硬掩模缺陷面墙将传播到二氧化硅/氮化硅薄膜对在随后的蚀刻过程。(3)的关键维度都是1度。

导管被蚀刻成像的原因包括物理溅射和化学蚀刻。等离子体中的带电活性在材料表面处理中起着重要的作用。由于电子比离子移动得快得多,氧蚀刻设备放置在等离子体中的材料的表面电位相对于等离子体电位是负的(称为漂移电位)。高速的电子激发、电离或将反应分子分解为自由基碎片,同时正离子不断轰击被处理材料的表面,显著影响表面发生的化学反应。化学蚀刻是由于等离子体中的活性粒子的能量接近或略大于被处理材料的分子键的键能。

技术参数 CPC-ACPC型号B方-A - 13.56Cpc-b-13.56舱室尺寸Φ 300 × 300 × 100 mm Φ Φ 300 × 150mm至100 mm300X φ 150mm舱室容积2.6 5.2 2.6 L L L5.2L射频电源40 KHZ至13...

氧蚀刻(氧蚀刻机器)氧蚀刻设备

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