在接触孔技术工艺整合的发展历程中，氮化硅亲水性还是疏水性两个重要的里程碑是65nm技术结点开始使用 NiSi(金属镍硅化物)代替之前的CoSi(金属钴硅化物)作为接触金属以降低接触电阻、减少信号延迟，以及从45nm 技术结点开始使用高应力的氮化硅材料改善器件的性能并作为接触孔蚀刻停止层(Contact Etch Stop Layer，CESL)。
对于需要经过处理的固体表面或聚合物膜层的基材表面，氮化硅亲水性还是疏水性低压等离子体是低温等离子体，因此在大约 133 至 13.3 Pa 的压力下，电子温度达到 10,000 开尔文，但气体温度仅为 300 开尔文.低压等离子发生器越来越多地用于表面处理工艺，例如等离子聚合、薄膜制备、蚀刻和清洁。等离子发生器的成功例子包括：半导体制造工艺、利用氟利昂等离子体干腐蚀、离子镀在金属表面形成氮化钛膜等。
等离子体辅助清洗技能是一种先进制造工业中的精密清洗技能，氮化硅亲水性在许多工业领域都能够运用到这种清洗技能，下面为大家介绍一下，等离子清洗机清洗技能在半导体制造中的运用。 化学气相堆积（CVD）和刻蚀被广泛运用于半导体加工过程中，运用CVD能够堆积多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属薄膜（如钨）。此外，微三级管及电路中起衔接效果的细导线也是在绝缘层上通过CVD工艺制成的。
特斯拉在业内率先使用碳化硅(SiC)代替IGBT，氮化硅亲水性处理但为了提高5%的续航里程，其成本是IGBT的几倍。由于特斯拉的引导作用，地球上采用碳化硅作为动力装置的速度可能加快了一倍。这不仅对电动汽车行业，而且对其他行业的...
