等离子体清洗机和等离子体表面处理器的相变存储器下电极接触孔的蚀刻过程:在相变存储器的存储单元中加热器和贯穿;下电极接触的大小对器件性能至关重要。更小的尺寸意味着更高的电流密度，氮化硅薄膜亲水性更高的加热效率，更小的相变材料面积在较低的电极接触。以GST为相变材料的叶片形氮化硅电极接触的结构和过程，可以形成沿位置线方向尺寸小于20nm的低电极接触。
等离子处理器复合氮化工艺提高扩散速率的机理分析 调质后零件表面组织为回火索氏体，氮化硅薄膜是亲水性零件表面强度更高，芯部塑性更好。后续的微加工工艺旨在去除零件表面淬火和回火后的氧化皮，为后续工艺做准备。采用渗入前零件表面感应淬火提高渗入率，表面淬火后零件表面组织为马氏体和残余奥氏体，均为组织缺陷。位错等缺陷，这些缺陷为后续的冷氮渗透技术提供能量和结构支撑。
& EMSP; & EMSP; (2)离子氮化& EMSP; & EMSP;离子氮化是业界应用最广泛的成熟离子热处理工艺[1-3]。通过调整工艺参数（电压、电流、炉内气体压力、温度、时间、工作气体成分等），氮化硅薄膜的亲水性很容易得到纯扩散层、单相、复合层等。离子渗氮技术的关键是如何根据其特性合理选择工艺参数，并结合模具的相关使用条件，以获得所需的最佳氮化层。
因此，氮化硅薄膜是亲水性对于聚酰亚胺薄膜芯片，需要控制等离子清洗的次数，即进行一次等离子清洗。氮化硅钝化膜芯片可以用等离子清洗多次，而不会出现环状皱纹。对等离子清洗对芯片电性能影响的研究表明，随着等离子清洗功率和时间的增加，78L12芯片的输出电压有增加的趋势。等离子清洗过程中芯片输出电压的变化是一个可逆过程，在退火和上电老化过程中，输出电压逐渐下降恢复平衡。
氮化硅薄膜的亲水性
