利用互补金氧半导体制成的电路同时采用传输负电荷的晶体管，沃特曼滤纸是亲水性滤纸吗即负电场效应晶体管;传输正电荷的晶体管，即正由场效应晶体管，“但是负由场效应锗晶体管技术正遭遇瓶颈”。叶培德提出了新的负电场效应锗晶体管设计方案以显著提高其性能。锗元素能再次引起广泛关注，萨拉斯沃特功不可没。 2002年，他发布论文，说明锗晶体管具有高性能，是硅晶体管的2~3 倍。
然而，亲水性滤芯作用锗晶体管技术正面临负场效应。瓶颈。叶佩德提出了一种新型负场效应锗晶体管的设计，以显着提高性能。元素锗再次受到广泛关注，萨拉斯沃特做出了重大贡献。 2002 年，他发表了一篇论文，表明锗晶体管的功率是硅晶体管的两到三倍。 Sarawater 说，我们已经完成了基础科学研究现在我们专注于基础工程。
锗具有优异的电气性能，亲水性滤芯作用因此电路总是比硅快。但是，根据目前业界使用的制造技术：互补金属氧化物半导体技术（CMOS）或互补金属氧化物半导体技术，工程师们可以用锗制造出紧凑、节能的电路是做不到的。由互补金属氧化物半导体制成的电路也使用传输负电荷的晶体管，即负场效应晶体管。叶佩德提出了一种新型负场效应锗晶体管的设计，以显着提高性能。元素锗再次受到广泛关注，萨拉斯沃特做出了重大贡献。
但是，亲水性滤芯作用由于常规等离子渗氮工艺产生的异常辉光放电，放电参数相互关联、耦合，仅通过改变特定的放电参数来控制渗氮工艺是不可能的。为了解决这个问题，研究人员开发了一种低压等离子体。如果压力小于 10 PA，则不会发生异常辉光放电。在高频的作用下，热射线产生一系列低压等离子体。这种等离子体充满了整个加工空间，含有大量的活性原子，可以提高氮化效率。
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