点胶系统支持可编程的化学混合功能，高铝陶瓷和碳化硅的亲水性以控制化学品在整个基材中的分布。它提供高再现性、高均匀性、先进的兆声波清洗、兆声波辅助光刻胶剥离和湿法蚀刻系统。湿法蚀刻是一种常用的化学清洗方法。其主要目的是将硅片表面的掩模图案正确复制到涂有粘合剂的硅片上，以保护硅的特殊区域。晶圆。自半导体制造开始以来，硅片制造和湿法蚀刻系统一直密切相关。目前的湿法蚀刻系统主要用于残渣去除、浮硅、大图案蚀刻等。
等离子火焰机先进侧墙蚀刻技术： 传统的氮化硅侧墙等离子火焰机等离子体蚀刻，氧化硅的亲水性通过使用高氢的碳氟气体提高选择性,通过增加离子的轰击来达到各向异性的目的。当侧墙膜层和氧化硅停止层较厚时,影响并不明显。但在一些SOⅠ侧墙蚀刻中,侧墙蚀刻直接停止在硅或锗硅的沟道材料上。沟道材料的损伤需要严格地控制在一定程度。超过一定限度，损伤会严重影响到器件的性能。
然后做第二次曝光工艺，氧化硅的亲水性一般采用含硅底增透层的三明治结构工艺，即先采用旋涂工艺沉积下层，达到平坦化的目的；然后在中间层旋涂含有硅的底增透层；旋涂光刻胶和切割孔的曝光工艺。多晶硅栅是通过蚀刻工艺切割的，通常称为P2。这种双图案工艺有效避免了一次图案工艺中栅格长宽两个方向黄光曝光的缩微胶片限制。
解决问题：铝箔铜箔电晕机（轧制等离子表面清洗机） 该设备主要包括收卷装置、电晕装置、收卷装置、臭氧减少装置、纠偏装置、张力装置、控制装置。下一步准备进一步提高铝箔表面的磁导率，高铝陶瓷和碳化硅的亲水性提高铝箔的达因值。。车用锂电池有正极和负极，更一般的说是车用锂电池在充放电时的触点。触点的清洁表面对整个锂电池电连接的稳定性和耐用性有很大的影响。
