对于线材的处理，磷化附着力可采用DBD大气压介质阻挡等离子体清洗机进行处理。通常处理主要有两种，一种是去除有（机）层的磷化表面，另一种是去除氧化物。使用等离子清洗机可使被（机）物体污染的表面受到离子轰击；在真空和瞬时高温下，污染物部分蒸发；并且在高能粒子的冲击下，被污染污渍用真空粉碎并去除。金属氧化物与处理后的气体通常是氩和氢发生离子反应。有时采用两步处理工艺。
它比 INCLX 更容易挥发和去除，磷化附着力因为 CH4 与氯气的适当气体比例会形成 IN (CH) X 的副产物。磷化铟表面粗糙度低，无副产物残留。蚀刻条件如下。 CL2：CH4：AR=12：12：3；4MT；TCP为 0W；偏置电压为300V。计算出的蚀刻速率为8600/MIN，对SIN的选择性为10:1，已经可以满足当前工艺的选择性要求。但是，这种方法的弊端也很明显。
虽然作者表示，磷化附着力小光顺空穴作为互连的形貌没有问题，但显然，70℃~80℃的角度很难胜任14nm以下的制程技术，需要更多的新技术和细致研究才能更好地完成图案定义。砷镓除可用作半导体材料外，还可与磷化铟、砷铟镓配合使用，砷镓半导体还可与砷铝镓、砷铝镓磷配合使用。这类蚀刻一般也具有宽高比大的特点。这类刻蚀一般采用较高温度下的激光刻蚀，因此图形清晰度准确，但粗糙度较大，对刻蚀气体成分和温度特别敏感。
