等离子去胶机定制

等离子去胶工艺是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤。等离子去胶不仅操作简单、去胶效率高、表面干净光洁而且无划痕、成本低、环保。
等离子去胶原理
干法式去胶又被称为等离子去胶，其原理同等离子清洗类似，主要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶，由于光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除，在反应气体中加入氮气或者氢气可以提高去胶性能、加强对残留物的去除。
等离子产生的原理是:给充入足够的氧气或者氩气并且稳定的真空条件下的腔体的电极施加射频，使得气体产生活性等离子体，以此，在物理、化学双重作用下对清洗的部件如砷化镓、氮化镓等进行表面的轰击，将表面要去掉的物质变成了离子或者气体，经过了抽真空排出，而达到清洗目的。
物理等离子去胶过程:主要是物理作用对清洗物件进行轰击达到去胶的目的，主要的气体为氧气、氩气等，通过射频产生氩离子，轰击清洗物件，以获得表面光滑的最大化，并且结果是亲水性增大，如图1所示。
图一https://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png物理等离子清洗
化学等离子清洗过程:清洗物的表面主要是以化学反应的形式表现作为主要的清...

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。工作压力对等离子清洁效果的干扰: 工作压力是等离子清洁的重要参数之一。压力的提升意味着等离子密度的提升和粒子平均能量的减低。化学反应主导的等离子密度的提升可以显著提高等离子系统的清洁速度，等离子去胶机定制而物理轰击主导的等离子清洁系统效果并不明显。此外，压力的变化可能会致使等离子清洁反应机制的变化...

1、等离子去胶机 30L

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2、等离子去胶机 60L

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3、等离子去胶机 5L

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4、等离子去胶机 10L

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大气等离子清洗机的工作原理是利用等离子体中的活性粒子与材料表面发生物理和化学反应，从而实现对材料表面的清洁、活化、刻蚀等处理。与传统的清洗方法相比，大气等离子清洗机具有许多显著的优势。...

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