并且各种粒子在对物体处理过程中所表现出来的作用也各不相同的。。半导体制造中需要一些有机物和无机物参与完成,另外,由于工艺总是在净化室中由人的参与进行,所以半导体圆片不可避免的被各种杂质污染。根据污染物的来源、性质等,大致可分为四大类。氧化物半导体圆片暴露在含氧气及水的环境下表面会形成自然氧化层。这层氧化薄膜不但会妨碍半导体制造的许多工步,还包含了某些金属杂质,在一定条件下,它们会转移到圆片中形成电学缺陷。
用氧等离子通过化学反应，金属表面附着力处理能够使非挥发性有机物变成易挥发性的CO2和水蒸气，去除沾污物，使表面清洁；用氢等离子可通过化学反应去除金属表面氧化层，清洁金属表面。
但经传统湿法处理后的SiC表面存在着残留有C杂质和表面容易被氧化等缺点，金属表面附着力处理使得在SiC上不容易形成优良的欧姆接触和低界面态的MOS结构，这严重影响了功率器件的性能。plasma清洗机等离子体增强金属有机物，化学气相沉积系统可以在低温下产生低能离子和高电离度高浓度高活化高纯氢等离子体，使得在低温下除去C或OH-等杂质离成为了可能。
这些官能团都是活性基团，粗糙度影响金属表面附着力能明显提高材料的表面活性。2.材料表面蚀刻-物理效应等离子体中的大量离子、激发分子、自由基等活性粒子作用于固体样品表面，不仅清除（去除）了表面原有的污染物和杂质，还会产生蚀刻，使样品表面变得粗糙，形成许多细小的坑洞，从而增加了样品的比表面积。提高固体表面的润湿性。3.激发（活化）键能与交联等离子体中粒子的能量为0～20eV，而聚合物中大多数键的能量为0～10eV。
