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在蚀刻过程中，铜翅片的亲水性通常将蚀刻过程切换到传统的高选择比HBr/O2步骤，在距翅片顶部200~300处，需要较低的偏置功率。还因为存在三维鳍片的顶部上方部分和后续部分蚀刻多晶硅栅的环境不同，所以在等离子体表面处理仪器蚀刻的过程中形成理想的多晶硅栅截面形态，通常具有较高的选择性，软着陆步骤分为几步，实现了多晶硅截面形貌优化的目标。
同样，铜翅片的亲水性当多晶硅蚀刻后底部长度严重时，在PSR蚀刻时，底部偏置侧壁也会被消耗更多，导致后续硅锗外延时多晶硅底部硅锗缺陷。当硬掩模的有效高度不足时，硅和锗缺陷也会在顶部的多晶硅上生长，因此控制FinFET多晶硅中蚀刻的轮廓形貌尤为重要。作为三维晶体管，多晶硅的刻蚀必须考虑通道因素。鳍片本身的材料是大块硅。在等离子体表面处理机蚀刻多晶硅时，虽然有氧化硅的保护，但翅片本身仍然需要考虑磨损。
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