在等离子设备中刻蚀 CH2F2/CH3F 气体时，进口常压等离子清洗机生产氮化硅表面形成的聚合物的厚度比氧化硅或金属硅酸盐上形成的聚合物的厚度要薄得多，所以在氮化硅表面，蚀刻反应在Plasma Devices 金属氮化物生产更厚的聚合物以获得更高的选择性。但是，由于许多F原子的解离，等离子体仍然对金属硅化物造成明显的破坏。相比之下，等离子器件中干法刻蚀氮化硅对金属硅化物的选择性小于湿法刻蚀。
故而，进口常压等离子清洗机生产该装置成本费用不高，清理全过程不用使用昂贵的溶剂，使总体成本费用小于传统的的湿式清理工序；7)应用等离子表面处理设备进行清洁，避免了清洗液的运输、储存和排放，为此生产现场容易保持清洁；8)等离子清理可处置多种多样材质，无论是金属材料、半导体材料、金属氧化物或是高分子材料(如聚丙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚酰亚胺...
