氟材料等离子体刻蚀（氟材料等离子体刻蚀机器）

然后通过光刻工艺，氟材料等离子体刻蚀将NMOS区域覆盖光敏电阻，并将PMOS区域曝光。然后需要在PMOS区域形成侧壁。等离子体处理器侧壁的主刻蚀一般使用CF4气体刻蚀掉大部分的氮化硅，而不接触下层衬底上的硅。采用Ch3f /O2气体进行过刻蚀，获得氮化硅对氧化硅的高选择性刻蚀率，并通过一定量的过刻蚀去除残留的氮化硅。将干、湿蚀刻与等离子体处理器相结合，形成硅槽。

(3)等离子体表面接枝改性:低温等离子体刻蚀的主要问题。目前，氟材料等离子体刻蚀嫁接被普遍认为是解决这一问题的有效方法。表面接枝是一种赋予表面新的功能的处理技术。也就是说，将具有特定性质的单体接枝到低温等离子体活化的高分子材料表面，使其具有相应的功能。

L1~L2和L2~L3之间的环氧玻璃布用L2铜箔隔开，氟材料等离子体刻蚀机器作六层刚性柔性粘接板。而铜箔的L2层对蚀刻在L1~L2层和L2~L3层之间的环氧玻璃布的均匀性和粗糙度影响较大。选择合适的蚀刻参数可以获得良好的孔壁。根据渗透率试验得出的结论，选择总气量为500m/min，刻蚀不同气体流量比的六层刚柔结合板。气体的比例有小、中、三种比例。

对于高温等离子体，氟材料等离子体刻蚀机器有三个重要的弛豫力矩:纵向减速力矩T //、横向偏转力矩T ^和能量均匀化力矩tE。电子和离子的弛豫时间是不同的。一个初始非热平衡的等离子体，碰撞后，电子先达到热平衡，然后离子达到热平衡，最后达到电子和离子之间的热平衡。等离子体中的输运过程包括电导率、弥散、黏度和热导率，各有特点。其中一个特点是双极色散。

氟材料等离子体刻蚀

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第二,血液相对于人工心脏、人工肺、人工肾脏、人工血管和血液接触材料，要求具有高度的抗血栓性和血液相容性。早在20世纪60年代，Hollahan等人就开始研究。‘Xi’通过等离子体处理高分子材料表面以提高血液相容性，所用气体为Hz N:与NH混合后，材料有聚氯乙烯(PVC)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚丙烯(PP)、聚氨醋(PU)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、聚碳酸酯醋(PC)等。

非晶态碳化硅薄膜是由硅烷和含碳共反应物组成，得到SixC1+x: H, x是Si/Si+C的比值。硬度大于2500kg /mm 2。在多孔基底上通过等离子体沉积一层聚合物薄膜，形成选择性渗透膜和反渗透膜，可用于分离混合物中的气体、离子和水。

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