由于具有高的能量密度和电子密度使得电弧放电可以在相对低的电场（通常500-5000Vm-1）下达到107-109Am-2的高电流密度。电弧的温度可以达到5000-50000K。1.2等离子体炬技术人们已研制开发了各种各样的等离子体炬。图1示意性的画出了两种典型的等离子体炬构型，等离子体化学与工艺 赵化桥pdf左侧是使用金属作为电极的，右侧的是采用无电极的射频等离子体。
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经过等离子体清洗机处理芯片和封装载板，等离子体化学与工艺 赵化桥pdf不仅能够获得超清洁的焊接外表，还能够大大进步焊接外表的活性，有用防止虚焊，削减空泛，提高填料的边际高度和包容性，提高封装的机械强度，削减不同材料的热膨胀系数在界面之间构成的内应剪切力，提高产品的可靠性和使用寿命。。
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等离子体刻蚀设备中的静电吸盘
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在等离子体蚀刻中，基于等离子体作用的物理蚀刻和基于活性的蚀刻同时发生。自由基作用的化学蚀刻。等离子蚀刻工艺从相对简单的平板二极管技术开始，发展成为价值数百万美元的组合腔室，配备多频发生器、静电吸盘、外壁温度控制器和薄膜特定设计。有多种过程控制传感器可供选择。可以蚀刻的电介质是二氧化硅和氮化硅。
而等离子表面处理机蚀刻后的特征尺寸测量值与目标值的差异，可以反馈到修整曲线的修正，以消除由于蚀刻腔体条件变化对特征尺寸的影响，称之为后反馈(Feedback)。 多晶硅栅的特征尺寸均匀性决定了饱和电流的收敛程度。目前业界主流的多晶硅栅蚀刻机台都配备了多区温控静电吸盘，通过控制晶片上不同区域的温度，从而控制线条侧壁上副产物的吸附，起到控制线条特征尺寸的目的。
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等离子刻蚀是一种各向异性刻蚀工艺，等离子体化学与工艺 赵化桥pdf它保证了刻蚀图案的准确性（精密度）、特定材料的选择性以及刻蚀效果（效果）的均匀性。在等离子体蚀刻中，基于等离子体作用的物理蚀刻和基于反应性基团作用的化学蚀刻同时发生。等离子蚀刻工艺从相对简单的平板二极管技术开始，发展成为价值数百万美元的组合腔室，配备多频发生器、静电吸盘、外壁温度控制器和薄膜特定设计。有多种过程控制传感器可供选择。可以蚀刻的电介质是二氧化硅和氮化硅。
