多晶硅刻蚀气体（多晶硅刻蚀工艺的研究）

转载请注明出处。。等离子表面处理器台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响 等离子体表面处理器台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响：地形对多晶硅栅极尺寸也有显着影响。 （浅沟槽隔离的台阶高度表征了多晶硅生长前的晶圆表面形貌。由于炉多晶硅的平面生长，多晶硅刻蚀气体正台阶高度（浅沟槽隔离氧化硅的顶面活性区）变厚多晶硅靠近浅沟槽隔离区，影响多晶硅栅极的侧壁角。

因此，多晶硅刻蚀气体多晶硅膜厚的不同就是栅侧壁角的不同，栅侧壁角的不同就是特征尺寸的不同。有源区的特征尺寸和浅沟槽隔离的台阶高度存在差异。浅沟槽隔离后的化学机械抛光在有源区加载不同的密度，导致不同的步骤。高度。这会影响蚀刻多晶硅时特征尺寸和角度的差异。不同有源多晶硅的高度与低于区域宽度的台阶高度之间的关系是栅极蚀刻时有源区的尺寸和台阶的高度。如果有源区的宽度不同，光板的多晶硅和表面形态的多晶硅就会暴露出来并被蚀刻掉。

等离子表面处理的失效时间主要受气体种类、工艺参数、工艺材料化学成分、分子结构、材料储存环境等因素的影响。因此，多晶硅刻蚀气体在一定的处理过程中，应对材料表层进行设备处理，保持表层清洁，储存温度不能太高。图层的适应性较差。等离子表面处理设备中多晶硅栅极的双图案蚀刻：多晶硅图案的定义需要严格控制线端（line-end）图案以及线本身的特征尺寸。

等离子表面处理器多晶硅栅极蚀刻 等离子表面处理器多晶硅栅极蚀刻：随着 CMOS 工艺扩展到 65 nm 以下的工艺节点，多晶硅刻蚀气体等离子表面处理栅极的蚀刻制造面临许多挑战。多晶硅栅图形作为控制沟道长度的重要工艺，与器件性能密切相关，影响着全身。摩尔定律将黄光图案化技术从 248 nm 波长的光源工艺推广到 193 nm 波长的光源工艺。这一转变在 2012 年取得了成功，图形分辨率为 30nm。

多晶硅刻蚀工艺的研究

但193nm光刻胶的化学成分与248nm光刻胶有很大不同，在恶劣的等离子环境下其抗蚀刻性较差。减少需要用于保护曝光工艺窗口的 193nm 光刻胶的厚度。在这种情况下，控制栅极图案尺寸如特征尺寸、线宽均匀性、侧壁角度、侧壁形状（凹痕、突起）、线宽粗糙度都是需要严格控制的工艺参数。..传统多晶硅栅极等离子表面处理机的蚀刻所采用的无机硬掩模（通常为氮化硅）蚀刻方式，很容易出现栅极侧壁粗糙的问题。

通过文献的掺杂和卤素气体原子或分子的库仑力来解释。库仑力，即N型掺杂磷或砷与化学吸附的卤素气体之间的相互吸引力，增加了掺杂多晶硅等离子表面处理机的蚀刻速率并引起颈缩现象。 Zhang 等人研究了 HBr / Cl2、HBr / O2、CF4 对N型掺杂多晶硅蚀刻速率的影响。 N型掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅的CF4气体蚀刻速率差异很小，在5%以内。

正如我们之前所知，臭氧是一种淡蓝色的气体，具有特殊的气味。它分布在地球周围约30公里处，形成臭氧层。如您所知，臭氧层保护地球免受过多的紫外线伤害。辐照为地球上的生命创造了舒适的生活空间。除了高空臭氧，大雷雨过后，空气总是很清新，带着淡淡的青草香味，这就是臭氧的香味。另外，在树林里、瀑布下、海滩上、河流里等，你可能会闻到这样的味道，所以不要以为它散发出难闻的气味，因为它被称为“臭氧”。

在这种情况下，不仅要处理同种材料零件之间的相互粘附问题，还要解决不同材料零件之间相互粘附的问题，而传统的等离子表面处理方法显然是困难重重。满足这个过程的要求。关于等离子表面处理的效果，在目前所有的表面处理方法中，氟化处理的效果是最好的，它可以赋予材料永久的附着力。但这种方法会产生大量有害气体，而且处理尾气的成本是大多数汽车制造商无法接受的。但令我们高兴的是，等离子表面处理技术的出现彻底改变了塑料行业。

多晶硅刻蚀气体

材料的晶体结构、结晶度、针孔缺陷等缺陷、气体和固体分子的极性、气体和固体之间可能发生的化学反应等因素都决定了材料的阻隔性能。..自由体积空隙的直径与其渗透性之间存在相关性，多晶硅刻蚀气体导致聚酯和共聚酯材料具有低渗透性和良好的化学稳定性和生物相容性。渗透性因材料而异，是指特定气体通过渗透或扩散穿过该材料的能力。在包装行业，渗透性是厚度和渗透的产物。人们对这个过程的理解仍然是经验性的。

因此，多晶硅刻蚀气体提高C2烃的选择性和C2烃的收率是研究的基础。