CCP刻蚀机器（CCP刻蚀设备反应台）CCP刻蚀设备原理

C2H4和CH4收率随着等离子注入量的增加呈小幅上升趋势，CCP刻蚀设备反应台可能与C2H4和CH4是该反应的主要反应产物，C2H2更稳定、有性有关。表3-1 CC和CH化学键的部分解离能化学键解离能/(kJ/mol)解离能/(eV/mol) CH3-CH3367.83.8C2H5-H409.64.2CH2 = CH2681.37.1C2H3-H434。

根据高（3-26）能电子的能量，CCP刻蚀设备反应台碰撞导致乙烷分子的动能或内能增加，后者裂解乙烷的 CH 和 CO 键以产生各种自由基。 C2H6+ e * → C2H5 + H + e (3-27) C2H6 + e * → 2CH3 + e (3-28) 表3-1中的化学键解离能数据显示反应式（3-28）（CC键） . (Cut) 比方程 (3-27) (CH 键断裂) 更容易。

当等离子体能量密度为860 kJ/mol时，CCP刻蚀设备原理C2H6的转化率为23.2%，C2H4和C2H2的总收率为11.6%。在流动等离子体反应器中，一般认为当反应气体的流量恒定时，系统中的高能电子密度及其平均能量主要由等离子体能量密度决定。等离子体功率增加，系统中高能电子密度及其平均能量增加，高能电子与C2H6分子之间的弹性和非弹性碰撞概率和传递能量增加，C2H6 CH和CC键会增加。

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缺点是所有聚合物都是易燃的并且在用火焰处理时具有低熔点。当有机物暴露在高温火焰中时，高温处理会导致变形、变色、表面粗糙、燃烧和产生有毒气体。并且很难掌握加工技术。等离子处理是 3D 物体表面修饰的最佳解决方案。原理如图1所示。当在电极上施加交流高频和高压时，两个电极之间的空气会产生气体电弧放电以形成等离子体区域。等离子体在气流的冲击下到达被加工物体的表面，达到修饰3D表面的目的。

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