主要控制要求是光致抗蚀剂压下工艺各周期压下尺寸的均匀性、边缘粗糙度控制、整片晶圆上压下尺寸的均匀性、SiO2/Si3N4蚀刻工艺中光致抗蚀剂的选择性。台阶宽度的精度决定了后续接触孔能否正确连接到指定的控制网格层。由于要求每一步的宽度（即每一个控制栅层的延伸尺寸）为数百纳米，舒曼电晕机中国工厂以便后续的接触孔能够安全、准确地落在所需的控制栅层上，因此循环工艺中的每一个光刻胶掩模层缩减工艺需要单边缩减数百纳米。
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