测得的缺陷形成率是施加到栅极氧化物的电压的幂函数。因此，触摸屏等离子体蚀刻机器故障时间与电压的关系为TF = B0V-n (7-12)。如果氧化层足够薄，缺陷形成率与氧化层厚度无关，但临界缺陷密度会导致氧化层断裂。它强烈依赖于氧化层。层厚度。对于low-k材料TDDB，也有对应的root E模型。将不同模型的拟合曲线与同一组加速 TDDB 测试数据进行比较。
当水滴放置在光滑的固体表面上时，触摸屏等离子体蚀刻机器水滴在基材上扩散，完全湿润时，接触角接近于零。相反，如果润湿是局部的，则接触角可以平衡在 0 到 180 度之间。固体基质的表面能对液体表面张力的影响越大，其润湿性越高，接触角越小。为了使液体与材料表面形成良好的结合，材料的液体张力应大于约2-10 mN/m。此类高分子材料具有化学惰性、低摩擦系数、高耐磨性、抗穿刺性和抗撕裂性。
氧化钛膜厚：0.400 μm 0.43 μm 0.47 μm 0.53 μm 0.58 μm 颜色 紫色 浅蓝色 蓝色 蓝色 绿色 黄色 当然，触摸屏等离子体蚀刻也有氮化硅等其他层可以实现这种干涉效应。还有氧化硅。 , 见下表。
该反应可用下式表示。
触摸屏等离子体蚀刻
CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一个产品 A 之间的耦合发生反应。
触摸屏等离子体蚀刻机器
61136113
