当电子（荷电1.6×10-19库仑）通过电场中1伏的电位差时，粉体环氧附着力促进剂电子从电场中获得的能量为W=1eV，1eV=1.6×10-19库仑×1伏=1.6022×10-19焦耳，1eV对应的温度为11600K（开尔文温度；开尔文）。等离子体主要通过粒子之间的碰撞相互传递能量，达到热力学平衡，但各种粒子之间的碰撞概率不相等，因此传递能量也不相等。
当等离子体能量密度为860kJ/mol时，环氧附着力促进剂4511C2H6的转化率为23.2%，C2H4和C2H2的总收率为11.6%。一般认为，流动等离子体反应器中高能电子的密度和平均能量主要由反应气体流量一定时的等离子体能量密度决定。
当电子（荷电1.6×10-19库仑）在电场中通过1伏电位差范围时，粉体环氧附着力促进剂电子从电场中获得的能量为W=1eV，1eV=1.6×10-19库仑×1伏=1.6022×10-19焦耳，1eV对应的温度为11600K（开尔文温度；开尔文）。等离子体主要通过粒子之间的碰撞相互传递能量达到热力学平衡，但各种粒子之间的碰撞概率不相等，因此能量传递也不相等。
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粉体环氧附着力促进剂
设电源内阻抗即输出阻抗为（a+jb）Ω，为满足在负载上Z大的功率输出，就需要负载阻抗和高频发生器输出阻抗“共轭匹配”。共轭匹配可以实现将总阻抗变成纯电阻的，即此时负载阻抗Z必须为（a-jb)Ω。 一种典型的高频匹配网络如下图所示。
等离子体状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。
氢气做为活泼气体,其等离子体具有很强的化学反应活性,氢气等离子体形成的过程如下:H2→H2+e(1.1)H2→2H(1.2)H2+e→H2+e(1.3)H2+e→H2+hv+e(1.4)H2+e→2H+e(1.5)H2+e-H+H++2e(1.6)式1.1表示氢气分子在得到外界能量后变成氢气阳离子,并放出自由电子的过程。
比起其他替代材料，III-V族化合物半导体没有明显的物理缺陷，而且与目前的硅芯片工艺相似，很多现有的等离子体蚀刻技术都可以应用到新材料上，因此也被视为在5nm之后继续取代硅的理想材料。
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