气压1～5托（1托≈133帕），c18亲水性色谱柱岛津电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4+SiH3+N2。温度300℃，沉积率约180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x：H，x是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克/毫米2。在多孔基片上,用等离子体沉积一层薄聚合膜，制成选择性的渗透膜及反渗透膜，可用于分离混合气中的气体，分离离子与水。
等离子清洗设备材料键合机参数：序号型号CPC-ACPC-BCPC-C1舱体尺寸275X110（直径）mm295X150（直径）mm295X150（直径）mm2舱体容积2.6L5.2L5.2L3射频频率40KHz40KHz13.56MHz4射频功率10-200W无极可调10-200W无极可调10-150W无极可调5电 源220V 50/60HZ220V 50/60HZ220V 50/60HZ6电 流1.2A1.2A1.2A7时间设定1-99分59秒1-99分59秒1-99分59秒8气体稳定时间1分钟1分钟1分钟9真空度 pa以内 pa以内 pa以内10等离子激发方式电容式电容式电容式11外形尺寸L*W*H480*450*265mm520*450*290mm520*450*290mm12整机重量15Kg20Kg25Kg。
图二 等离子体处理铁氟龙的C1s 分峰图等离子体引发过程中产生的活性粒子和极性基团可以移除铁氟龙表面的F并产生自由基，c18亲水性引发表面发生交联反应或形成不饱和键，暴露于空气中后又会与O2等发生反应，从而引入O和N元素并生成新的官能团。铁氟龙表面F/C比例越低、（O+N）/C比例越高，表明有越多的C-F2键被打断并生成更多的...
