气压1～5托（1托≈133帕），c18亲水性色谱柱岛津电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4+SiH3+N2。温度300℃，沉积率约180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x：H，x是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克/毫米2。在多孔基片上,用等离子体沉积一层薄聚合膜，制成选择性的渗透膜及反渗透膜，可用于分离混合气中的气体，分离离子与水。
等离子清洗设备材料键合机参数：序号型号CPC-ACPC-BCPC-C1舱体尺寸275X110（直径）mm295X150（直径）mm295X150（直径）mm2舱体容积2.6L5.2L5.2L3射频频率40KHz40KHz13.56MHz4射频功率10-200W无极可调10-200W无极可调10-150W无极可调5电 源220V 50/60HZ220V 50/60HZ220V 50/60HZ6电 流1.2A1.2A1.2A7时间设定1-99分59秒1-99分59秒1-99分59秒8气体稳定时间1分钟1分钟1分钟9真空度 pa以内 pa以内 pa以内10等离子激发方式电容式电容式电容式11外形尺寸L*W*H480*450*265mm520*450*290mm520*450*290mm12整机重量15Kg20Kg25Kg。
图二 等离子体处理铁氟龙的C1s 分峰图等离子体引发过程中产生的活性粒子和极性基团可以移除铁氟龙表面的F并产生自由基，c18亲水性引发表面发生交联反应或形成不饱和键，暴露于空气中后又会与O2等发生反应，从而引入O和N元素并生成新的官能团。铁氟龙表面F/C比例越低、（O+N）/C比例越高，表明有越多的C-F2键被打断并生成更多的官能团，从而使铁氟龙的表面黏附性得到改善。
它在电子工业、化工、光学等方面有着广泛的应用。硅化合物的等离子体沉积。以SiH4+N2O（或Si(OC2H4)+O2)为原料制备SiOxHy。气压为1～5托（1托≈133Pa)，c18亲水性色谱柱岛津电源为13.5MHz。SiH4+SiH3+N2用于氮化硅的沉积。在300℃下，沉积速率约为180A/min。非晶碳化硅薄膜由硅烷和含碳共反应物组成，得到SixC1+x:H，x为Si/Si+C硬度大于2500kg/mm2的比值。
c18亲水性色谱柱岛津
气压1～5托（1托≈133帕），电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4+SiH3+N2。温度300℃，沉积率约180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x：H，x是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克/毫米2。在多孔基片上,用等离子体沉积一层薄聚合膜，制成选择性的渗透膜及反渗透膜，可用于分离混合气中的气体，分离离子与水。
电压为自动调压器，由高压变压器充分升压，波经整流，然后对储能电容C1充电。当旋转火花隙 RSG1 导通时，C1 通过限流电阻 R 对脉冲形成电容器 C2 充电。在旋转火花隙RSG2导通的瞬间，C2的能量通过RSG2释放到电抗器，电抗器获得一个高压脉冲。 RSG1 和 RSG2 上的火花隙在同一旋转轴上对齐，不能同时打开。这使得 C1 充电 C2 和 C2 排放到反应器作为两个独立的过程。
等离子清洗机的作用通过比较等离子清洗机前后无尘布的亲水性和疏水性，可以看出等离子清洗机的表面改性处理实际上可以有效提高吸水率。然而，等离子表面改性过程中等离子清洗机的活化和蚀刻起着重要作用。等离子活化工艺可以在PET无尘布表面引入大量极性基团。此类基团的数量越大，洁净布的表面自由能越高，润湿性和吸水性越好。
用等离子清洗装置处理使材料表面发生各种物理化学变化、腐蚀，并形成致密的交联层，从而获得亲水性、结合性、染色性、生物相容性。它已得到改进。使用等离子清洗剂对硅橡胶进行表面处理，大大提高了产品表面的亲水性和附着力，而且表面层不会随着时间的推移恢复到原来的状态。研究、开发、设计、制造、销售、是一家提供服务的高科技公司，是一家大型工业自动化的大型中盖合作公司。
c18亲水性
通过该装置对硅胶表层进行处理，c18亲水性N2、Ar、O2、CH4-O2和Ar-CH4-O2能够提高硅胶的亲水性。等离子技术可以改变硅胶表面的氧分子，将负极变成正极。具有低静电感应和优良的防污性能，适用于眼镜架和表带、医疗器械、运动器材等产品，具有优良的特性。等离子表面处理技术上适用于化学纤维、聚合物、塑料等原材料，也可用于金属和结构陶瓷的清洗、活化和蚀刻。等离子技术可以合理解决硅胶的静电和污染问题，延长其使用寿命。。
