通过调整氢氟酸处理时间，gmma高分子亲水性大大改善了不同图案的sigma级硅沟槽的深度差异。所有实验均基于相同的干法蚀刻和灰化工艺。当稀氢氟酸的量超过一定量时，σ槽的深度差异可以保持在较低水平。然而，氢氟酸的过度清洗会从浅沟槽隔离中去除过多的氧化硅，从而降低器件的隔离性能。因此，在使用氢氟酸时，需要考虑硅胶沟的清洗效果。氧化硅的浅沟槽隔离损失。硅锗的外延生长对硅沟槽的表面特性非常敏感，容易形成各种外延缺陷。
当这些电子到达阳极时，gmma高分子亲水性它们会聚集在介质表面，实现表面修饰。等离子处理设备、等离子清洗机、低温等离子处理设备、等离子磨床、玻璃等离子表面处理、等离子火焰处理器GM-2000系列。
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