二、清洗真空等离子设备的六大特点真空等离子设备的清洗被广泛用作改性外层材料的重要手段： 1）真空等离子装置的加工温度低，半导体湿法刻蚀工艺配方加工温度应在80℃、50℃以下，试样外层不应受热影响。 2）由于是在真空中进行，不污染环境，清洗面无二次污染，整个过程无污染。可在原有生产线上实现自动化在线生产。 ，节省人工成本。真空等离子清洗设备可以防止用户受到对人体有害的溶剂的伤害，避免使用湿法清洗时容易清洗物体的问题。
表 1 显示了等离子工艺在半导体制造中的选择和应用。等离子蚀刻和等离子脱胶在半导体制造之前的早期工艺中被选择，半导体湿法刻蚀工艺配方并且在大气压下生产的活性材料会造成有机污染。一种替代湿法化学清洗的绿色方法。3.1 基于化学反应的清洗基于表面化学的等离子清洗通常被称为等离子清洗PE。许多气体的等离子体状态可以产生高活性粒子。化学方程式表明，典型的 PE 工艺是氧或氢等离子体工艺。
真空等离子清洗机具有以下特点： 1.真空等离子清洗机的表面处理采用干式试验。使用的材料大多为普通蒸气，湿法刻蚀设备工程师包括空气压缩、O2、Ar、N2等化学气体，并且是干燥的，作为环保、零污染的处理方式，
