IBM公司提出的P4 (Post Porosity Plasma Protection)方法能有效降低多孔low-k材料在等离子体蚀刻时的损伤，合金模型漆面附着力差不同电 场强度下，初沉积完的low-k和经过等离子体处理或VUV照射完的low-kTDDB失效时间，实线为VE模型，(b)经过和没经过P4方法保护的碳耗尽层对比 经过P4方法保护的low-k在蚀刻后的碳耗尽层大大减少，孔隙率越高效果越明显。
型腔尺寸和材料 型腔尺寸是影响价格的主要因素。由于腔体较小，合金模型漆面附着力差小型测试模型更便宜。这种机器适用于大学的实验研究。也就是说，腔体越大，真空技能越难，价格也越高。材料方面，以小型机为例，主要有不锈钢型腔和石英型腔两种。其实这两款车型的价格差异并没有那么大，但只能看作是一个影响因素，而不是一个很大的影响因素。 2、电源（等离子发生器） 国产电源与进口电源价格相差较大也是影响价格的一大因素。
工程上一般用低浓度氯氟酸(DHF)处理等离子体刻蚀的SiCOH，合金模型漆面附着力差通过观察碳耗尽层的厚度来表征等离子体对SiCOH的损伤程度。IBM提出的P4(Post-Porosition Plasmal Protection）方法可以有效地减少等离子体刻蚀过程中多孔低k材料的损伤。在不同电场强度下，等离子体处理或真空紫外辐照后低K和低KTDDB的失效时间均为VE模型。
3.真空等离子体产生新的官能团——化学功能当将反应气体引入放电气体时，模型漆面附着力测评生物材料表面会发生复杂的化学反应，产生新的官能团，如烃基、氨基和羧基。这使得活性基团可以...
