电晕刻蚀对PID的影响；电晕诱导损伤(PID)是指在集成电路制造过程中，吹膜机加电晕机的作用由于各种电晕工艺对MOSFET器件造成的损伤，导致器件性能偏差。在电晕环境中，由于放电产生了大量的离子和电子。离子在电极电位或电晕自偏压的作用下加速向晶片表面移动，对衬底产生物理轰击，促进表面化学反应。
电晕与材料表层的物理反应，吹膜机加电晕机的作用主要是纯物理作用，利用离子敲除材料表面的原子或附着在材料表面的离子，因为离子的平均自由基较轻，能量在低压下积累，所以发生物理碰撞时，离子的能量越高，越容易碰撞。因此，以物理反应为主，必须控制低压下的化学反应，清洗效果较好。
电晕与物体表面相互作用除了气体分子、离子和电子外，吹膜机加电晕机的作用还有电中性原子或原子团（也叫自由基）被电晕发出的能量和光激发。紫外光的波长、长度和能量使得紫外光在电晕与材料表面的相互作用中起着重要的作用。下面分别介绍其他门的功能。原子团等自由基与物体表面的反应B，因为这些自由基是电中性的，存在时间长，在电晕中的数量比离子多，所以自由基在电晕中起着重要的作用。
肖特基结和快速电荷转移通道能有效抑制电子-空穴复合。与肖特基作用相比，吹膜机加电晕机的作用某些表面电晕的振动增强光催化更为明显。当进入金属纳米颗粒时，振荡电场振荡传导电子，金属表面自由振荡的电子和光子产生沿金属表面传播的电子密度波，这是一种电磁表面波，即表面电晕。当金属离子的振荡频率与人体光子相同时，它们也会产生振动，对入射光有很强的吸收作用，从而引起局部表面轮廓子体振动。
吹膜机加电晕机的作用
