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外延片plasma除胶

但是,外延片plasma蚀刻机硅片尺寸越大,对微电子工艺设计、材料和技术的要求就越高。 2.单晶生长法划分通过直拉法制造的单晶硅称为CZ硅(片),通过磁控管直拉法制造的单晶硅称为MCZ硅(片)。这种方法称为FZ硅(芯片),硅的外延层通过外延生长在单晶硅或其他单晶衬底上,称为外延(硅片)。三是硅片与圆片的区别。未切割的单晶硅材料是称为晶体的薄晶片。

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目前广泛使用的石墨烯制备方法主要有微机械剥离法、外延生长法、氧化还原法、化学法等。几种气相沉积方法。其中,外延片plasma蚀刻机微机械剥离法生产效率低,外延生长法可以获得高质量的石墨烯,但对设备要求高。虽然化学气相沉积法和氧化还原法可以大规模制造,但化学气相沉积法生产的石墨烯的厚度难以控制,在沉淀和迁移过程中只有一小部分碳转化为石墨烯。过程很复杂。

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