P是占比成效，如何提高PI薄膜附着力I是積分成效，D是求微分成效。 PID不光具有快速快速的占比成效，而且还具有積分成效的差错清除及其求微分成效的高級调整作用。 当出現差错阶跃时，导函数将马上起成效以抑止这类差错弹跳； 该占比还具有清除差错和削减差错力度的成效。 由于占比效用是长久且占主导性的操控规律性，因此可以使内腔的真空度更为平稳； 積分成效渐渐摆脱了差错。
这种用于等离子清洁器表面处理机的低温蚀刻方法源于蚀刻高纵横比硅结构的需要，PI薄膜附着力问题主要用于形成非常高纵横比的硅材料结构。这种结构广泛用于微机电系统（MEMS）的前端工艺和后端封装的硅通孔（TSV）。近年来研究表明，等离子清洗机表面处理机的低温等离子刻蚀不仅可以形成所需的特殊材料结构，而且可以减少刻蚀过程中的等离子损伤（plasma-induced damage，PID）。
在FN电流的作用下，如何提高PI薄膜附着力栅氧化层和界面都会产生缺陷，产生的损伤会引起IC成品率降低，并会加速热载流子退化和TDDB效应，引起器件长期可靠性问题。在集成电路制造技术中，充电效应引起的栅氧化层退化是一个严重的问题。 引起PID的机理主要有以下几种： (1)等离子体密度。高的等离子体密度意味着更大的电流在充电导致损伤的模型下，更高的等离子体密度更容易引起PID问题。
产生从衬底到栅极的 FN 电流的 MIMO 栅极氧化层会损坏栅极氧化层。 Advanced Technology 节点中使用的 HKMG 技术对 PID 提出了重大挑战。等离子体伪栅极去除工艺需要基于 NF3/H2 气体的长期过刻蚀，提高pi膜附着力以完全去除角落中的电介质，但等离子体直接在高 k ...
产生从衬底到栅极的 FN 电流的 MIMO 栅极氧化层会损坏栅极氧化层。 Advanced Technology 节点中使用的 HKMG 技术对 PID 提出了重大挑战。等离子体伪栅极去除工艺需要基于 NF3/H2 气体的长期过刻蚀，提高pi膜附着力以完全去除角落中的电介质，但等离子体直接在高 k ...
聚酰亚胺PI等离子亲水改性原理：聚酰亚胺PI等离子亲水改性是将聚酰亚胺PI材料表面暴露的疏水基团通过等离子体改性技术转化为亲水基团的过程。该技术通过氧化、还原、功能化等方法，使材料表面产生新的亲水基团，从而增强材料表面的亲水性能。聚酰亚胺PI等离子亲水改性的作用是提高材料表面的亲水性能，使其具有更好...
汽车文件盘基层表面经过等离子处理后，其粘接力显著提升。通过等离子体处理其表面，去除表面残余有机物氧化物杂质，增强表面洁净度、提高亲水性和粘接附着力，让后续方向盘制作工序中的皮革、植绒革、加热层等能与方向盘包覆层牢牢紧密粘接在一起不易脱落，并提升方向盘的使用寿命。 ...
利用等离子处理清洗设备对有机玻璃等基体进行清洁处理，有效增强产品表面附着力粘接性。在PMMA与PDMS芯片键合、光学元件、生物医疗等领域都有很大的作用。...
PDMS芯片与基片如玻璃片、硅片等的键合，利用氧等离子处理PDMS及基片，改变两者的表面化学性质，活化了PDMS聚合物和基片的表面。通过氧等离子清洗机处理后的PDMS芯片与基片能形成Si-O-Si牢固且不可逆的键合。PDMS微流控芯片，又叫聚二甲基硅氧烷微流控芯片，由聚二甲基硅氧烷也就是PDMS制成...
