等离子体冲击波去除微纳粒子的效果非常明显，旋涂中如何改善基底亲水性直径在0.5μm以上的微粒去除比较彻底，而小于此粒径的微粒基本去除原有数量的50%左右。等离子体辐射光谱由连续光谱与叠加其上的线状谱线组成，光谱范围很宽，从紫外一直扩展到近红外，但主要集中在可见光范围。宽谱光辐射有助于增强基底表面微粒对等离子体辐照能量的有效吸收。等离子体的产生、扩散以及自身的特征都会对基底表面的微粒产生作用，直接影响到去除效果。
光敏性聚合物光刻胶经紫外线曝光后，旋涂中如何改善基底亲水性受照射部分通过显影作用去除。一旦电路图案在光刻胶上定型后，即可通过刻蚀工艺将图案复制到多晶硅等质地的基底薄膜上，从而形成晶体管门电路，同时用铝或铜实现元器件之间的互连，或用二氧化硅来阻断互连路径。刻蚀的作用在于将印刷图案以极高的准确性转移到基底上，因此刻蚀工艺必须有选择地去除不同薄膜，基底的刻蚀要求具备高度选择性。否则，不同导电金属层之间就会出现短路。
大多数等离子设备的运行时间较短，旋涂中如何改善基底亲水性几分钟内即可完成，即那么操作者不离开，对身体也不会有很大的影响。3.紫外线当等离子体清洁器工作时，等离子体中可能含有紫外线。对于大气等离子体来说，这种紫外线通常较弱，甚至低于正午太阳的紫外线水平。医学临床试验表明，血浆清洗机中的紫外线对正常人基底细胞相对安全。
其中，基底亲水性处理有机旋涂多层掩模技术中使用的旋涂为碳氢聚合物，有机材料的减反射层为含硅碳氢聚合物，两者均为液态，低温烘烤形成固态掩模。之所以称为软掩模技术，是因为它被集成到光刻机中，并且过程非常快。用于高级图形材料的多层掩模也称为硬掩模技术，因为它们是高级图形材料（非晶碳膜）的化学气相沉积作为抗反射层和电介质（如氮氧化硅）膜。
基底亲水性处理
