1、半导体去胶技术——晶圆等离子去胶工艺，去除光刻胶、污染物、残余物和其他无用杂质 等离子干法去除光刻胶工艺利用高能等离子体处理光刻胶表面，去胶彻底且速度快，不需引入化学物质，减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤，是现有去胶工艺中最好，有效且高效的半导体光刻胶去除工具，具有高效、均匀、无损伤等特点。...
2、晶圆表面亲水性（晶圆表面亲水性疏水性） Si-OH表面浸泡在有机或无机碱中并在一定温度下退火后，晶圆表面亲水性疏水性键合键脱水聚合形成硅氧键，增强晶圆表面亲水性，更有利于晶圆键合。对于材料的直接键合，亲水性晶圆表面在自发键合方面优于疏水性晶圆表面。。与其他高温材料相比，经等离子体处理的碳化硅表面具有平均热膨胀系数低、热导率高、耐超高温等特...
3、等离子体刻蚀 晶圆表面温度（北京低温等离子体表面处理机价格） 等离子体处理种子后，等离子体刻蚀 晶圆表面温度可促进种子萌发，提前1~2d发芽。发芽势和发芽率也明显提高，特别是陈种子和发芽率低的品种发芽率可提高10％～15％；2、减轻病虫害。在等离子体处理种子的过程中，等离子体能够很好地杀灭种子表面的病菌，从而提高种子在萌发过程中的抗病性，明显减少苗期病害的发生...
