等离子体表面处理器、等离子体清洗机3DNAND蚀刻工艺:与平面NAND flash技术相比，氧刻蚀等离子体表面处理器、等离子体清洗机的3DNAND蚀刻技术在设备结构上发生了很大的变化，与以往有很大的不同。该工艺的主要新特点是围绕三维结构制备，包括步骤刻蚀;②通道通孔刻蚀;(3)切口刻蚀;等离子体表面处理机等离子清洗机步进蚀刻步进蚀刻的目的是将每个控制栅层分别连接起来进行后续的加工。
由于H是一种轻离子，氧刻蚀机器与He相比几乎不会腐蚀氮化硅薄膜，所以被用于薄膜加工。在电容耦合等离子体蚀刻机中，可以通过调节偏压功率和注入时间来调节氮化硅表面膜上氢的浓度和注入深度。氮化硅膜中H的浓度与随后的氢氟酸刻蚀速率密切相关。通过控制氮化硅膜中氢的浓度，实现了氮化硅膜与整体氮化硅膜蚀刻的选择比。当等离子体火焰蚀刻停在锗硅材料的侧壁蚀刻时，采用这种类原子层蚀刻方法可以将硅的损耗控制在6Å以内。或更少。。
在等离子体表面处理机等离子体蚀刻过程中，氧刻蚀设备与含氟聚合物层相比，SiOxFy无机复合膜更难蚀刻，在蚀刻过程中需要较高的离子轰击能量才能去除保护层底部的硅槽，并避免明显的横向蚀刻，可以形成结构更垂直的侧壁。虽然较高的离子轰击能量会进一步提高光刻胶的刻蚀速率，但在非常低的温度下(低于-℃)，光刻胶的刻蚀速率可以降低到几乎可以忽略不计，以抵消轰击能量增加的影响。
进口机器的价格是国产机器的几倍，氧刻蚀设备虽然很多人都说效果很重要，但是凭我们的单一经验，客户通常是要达到自己想要的效果，然后在几个品牌中选择一个价格较低的。人，在钱面前，是那么逼真!国外等离子清洗机品牌今天...
