因为氮化硅侧墙蚀刻可以停止在下面的氧化硅层上，亲水性处理后接触角所以不会对硅有影响 这样的侧墙也叫氮化硅侧墙或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)侧墙。到了0.18μm时代，这个氮化硅侧墙的应力太大，会造成饱和电流降低，漏电增加。为了降低应力，需要提高沉积温度到700℃，量产的热成本将会提高，同样会增加漏电。因此在0.18μm时代选用ONO侧墙。
由于低气压等离子体为冷等离子体，亲水性处理后接触角当气压为 133～13.3帕左右时，电子温度高达 00开，而气体温度只有300开，既不致烧坏基体，又有足够能量进行表面处理。 低气压等离子体发生器已日益广泛应用于等离子体聚合、制备薄膜、刻蚀、清洗等表面处理工艺中。等离子体发生器成功的例子如：在半导体制作工艺中，采用氟里昂等离子体干腐蚀，用离子镀法在金属表面生成氮化钛膜等。
等离子辅助清洗技能是一种先进的制造行业中的精密清洗技能，亲水性处理后接触角在很多工业领域都可以使用到这种清洗技能，下面为大家介绍等离子清洗机在半导体制造中的使用清洗技能。化学气相沉积(CVD)和蚀刻技术广泛应用于半导体加工。CVD可用于积累多晶硅、氮化硅、二氧化硅和金属薄膜(如钨)。此外，电路中用于连接效果的微级管和细导线也采用CVD工艺在绝缘层上制作。在CVD过程中，部分残留物会在反应室壁上积累。
图3是LED厂商氧化后的LED批次等离子清洗前后对比图，亲水性处理后接触角图4是LED厂商等离子清洗前...
