上下电极(BE、Metal C、 Metal D)和阻变层都是在逻辑后段工艺中会使用到的材料；阻变层的HfO2，侧向附着力 电极材料TiN、Ti 和W都是逻辑工艺常用材料，无交叉污染问题。 目前阻变存储器仍多使用等离子清洗机RIE/ICP蚀刻，面临着存储单元蚀刻剖面过于倾斜，金属电极蚀刻后严重的侧向腐蚀等问题。后续的工艺优化(功率脉冲等)或新反应气体的引入应该可以取得更多的进步。
见进一步加大氯气流量，滑移率与侧向附着力的关系会使锗的合金侧向蚀刻加快形成底部内收的形貌，这也表明高活性化学蚀刻气体对锗的蚀刻更加有效同时不会损失过多的光阻，以达到保证侧壁轮廓曲线的效果。 另一类是以含氟气体为主的蚀刻，主要蚀刻剂是CF4，产物为GeF4较易挥发。我们可以得到非常平滑的图形形貌。加人氧气可以调节锗对其合金的选择比，高达到434。
刻蚀底切是由化学品的不定向刻蚀引起的，侧向附着力一旦发生向下刻蚀，则允许侧向刻蚀，底切越小，质量越好。测量这些底切值并将其称为“刻蚀因子”。刻蚀工艺的所有步骤都是连接在一起的，而刻蚀的质量可以是刻蚀溶液或所用抗蚀剂的结果。化学刻蚀使用有很多有害的化学物质，而且不是环保的刻蚀工艺。使用等离子体进行刻蚀：等离子体刻蚀是20世纪80年代流行的一种环境友好刻蚀方法，用来从PCB孔洞中除去胶渣。
实验结果表明：用氧真空等离子体设备滑移导管表面，侧向附着力导管接触角为84-deg；降低到67度；且无损...
